發(fā)展歷史
Development History
在江蘇省重大成果轉化項目（2007年）、國家自然科學基金委項目、科技部863項目和重點研發(fā)計劃、發(fā)改委產業(yè)化示范項目以及國家和省市各級領軍人才項目等的支持下，依托中科院蘇州納米所研究平臺，蘇州納維在氮化鎵單晶材料生長與產業(yè)化技術上持續(xù)深耕，取得系列創(chuàng)新突破，目前可以批量提供2~4英寸氮化鎵單晶標準襯底，并可以為客戶定制特定尺寸和規(guī)格的單晶襯底。
致力于氮化鎵單晶材料的生長技術和裝備研發(fā)，銳意進取，發(fā)展新方法、突破新技術，做全球氮化鎵單晶技術的引領者，做氮化鎵單晶襯底的最佳供應商，成長為對全球新一代半導體技術有卓越貢獻的中國企業(yè)。
5×5mm2
? 2 inch位錯密度10?cm?2。
? 2 inch量產中試，位錯密度10?cm?2。
? 2 inch實現(xiàn)量產，? 4 inch樣品。 研發(fā)水平位錯密度10?cm?2。
? 4 inch量產技術，? 6inch關鍵技術。 研發(fā)水平位錯密度103cm?2。
? 2 inch 規(guī)模量產，? 4 inch 小批量供貨，? 7 inch 樣品研發(fā)。 位錯密度：研發(fā)水平103cm?2，量產水平10?cm?2。
? 2 inch 規(guī)模量產，? 4 inch 量產能力，? 6 inch 批量供貨，? 8 inch 量產技術 位錯密度：研發(fā)水平102cm?2，量產水平10?cm?2。
? 2~8 inch量產技術 全面支撐：可見光激光器，先進微米LED，寬頻譜射頻器件，高效率電力電子，高可靠性功率器件，極低位錯密度電學性能領先。
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